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Hochleistungs-HF-Flanzwiderstand 1200W mit keramischer Zusammensetzung und breitem Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +165°C
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Hochleistungs-HF-Flanzwiderstand 1200W mit keramischer Zusammensetzung und breitem Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +165°C

Herkunftsort Sichuan, China
Markenname BONENS
Modellnummer RIG
Produkt-Details
Spezifikation:
800 W ~ 1200 W
Verpackungsart:
Boxed
Paket / Fall:
Plastiktüte
Beschreibung:
Anschlüsse 10 Ohm 50 Ohm HF-Widerstand
Widerstand:
1 ~500 Ω, 1 ~500 Ω
Widerstandstoleranz:
± 5%
Artikelname:
RIG Hochleistungswiderstände HF-Widerstand 1000 Watt 50 Ohm 100 Ohm
Technologie:
Keramische Zusammensetzung
Paketart:
Paketart
Temperaturkoeffizient:
±300*10-6/°C
Betriebstemperatur:
-55°C bis +165°C
Leistung (Watt):
1W-1200W
Nennleistung:
1~1200W
Hervorheben: 

Hochleistungs-RF-Chip-Widerstand

,

Flansch-HF-Widerstand 1000w

,

HF-Widerstand mit 50 Ohm-Terminalen

Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Min Bestellmenge
100
Produkt-Beschreibung
Hochleistungs-HF-Flanzwiderstand 1200W mit keramischer Zusammensetzung und breitem Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +165°C 0
Hochleistungs-HF-Flanzwiderstand 1200W mit keramischer Zusammensetzung und breitem Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +165°C 2
Beschreibung des Produkts
100W 150W 200W 250W 400W 800W 1000W 500W Hochleistungsterminals 10ohm 50ohm Bild des RF-Widerstands
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100W 150W 200W 250W 400W 800W 1000W 500W Hochleistungsterminals 10ohm 50ohm

Alle RF Flansch Widerstand kann mit einem Terminal oder zwei Terminals tun

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Zeichnung eines Widerstands mit einem Endgerät von 100 Watt
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150W zwei Endgeräte RF-Widerstands-Zeichnung

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250W 10ohm 50ohm zwei Endgeräte

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400 W10 ohm 50 ohm zwei Endgeräte

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500W 10ohm 50ohm ein Endgerät RF Widerstand Zeichnung

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600w 10ohm 50ohm ein Endgerät RF Widerstand Zeichnung

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800W 10ohm 50ohm zwei Endgeräte

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1000W 10ohm 50ohm Ein Endgerät RF Widerstand Zeichnung

Spezifikation
100W 150W 200W 250W 400W 800W 1000W 500W Hochleistungsterminals 10ohm 50ohm RF-Widerstand Parameter
Elektrische Eigenschaften
Nennwiderstandsbereich
1 ~ 500Ω
Nennwiderstandsbereich
± 5%
Frequenzbereich
0 ~ 2 GHz
Standwellenverhältnis
1.2 bis 1.3
Isolierwiderstand
≥ 1GΩ
Widerstandsspannung
500 V/1 mm (Substratdicke)
Umweltmerkmale
Nennleistung
1 ~ 1200 W (70°C)
Temperaturbereich
-55°C bis +165°C
TCR
± 300 × 10-6/°C
Temperaturschlag (-55°C/+125°C, 3 Mal)
ΔR≤±5%R
Feuchtigkeitsdicht (GJB306A-96-Methode 106)
ΔR≤±5%R
Schwingungen (10-500HZ, 0,75mm, 6h)
ΔR≤±3%R, keine mechanischen Beschädigungen
Prüfung bei niedriger Temperatur (-55°C, 24 Stunden)
ΔR≤±5%R
Dauer der Belastung (96)
ΔR≤±5%
Kollision
ΔR≤±3%R
Körperliche Eigenschaften
Endfestigkeit ((10N,5S)
Nicht loslassen und abfallen
Schweißbarkeit ((240°C,3s)
Zinnschichtfläche von 95%
Verpackung und Lieferung
Hochleistungs-HF-Flanzwiderstand 1200W mit keramischer Zusammensetzung und breitem Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +165°C 50
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Häufig gestellte Fragen
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Kontakt
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