Qualität Hochleistungs-HF-Flanzwiderstand 1200W mit keramischer Zusammensetzung und breitem Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +165°C usine

Hochleistungs-HF-Flanzwiderstand 1200W mit keramischer Zusammensetzung und breitem Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +165°C

Grundlegende Eigenschaften

Ursprungsland

Sichuan, China

Markenname

BONENS

Produktmodell

RIG

Immobilienhandel

MOQ

100

Umbauten

Hochleistungs-RF-Widerstände

Flanschwiderstand

HF-Leistungswiderstand

Produkt-Details

Hervorheben:

Hochleistungs-RF-Chip-Widerstand

Flansch-HF-Widerstand 1000w

HF-Widerstand mit 50 Ohm-Terminalen

Specification: 800 W ~ 1200 W

Packaging Type: Boxed

Package / Case: Plastiktüte

Description: Anschlüsse 10 Ohm 50 Ohm HF-Widerstand

Resistance: 1 ~500 Ω, 1 ~500 Ω

Resistance Tolerance: ± 5%

Item Name: RIG Hochleistungswiderstände HF-Widerstand 1000 Watt 50 Ohm 100 Ohm

Technology: Keramische Zusammensetzung

Package Type: Paketart

Temperature Coefficient: ±300*10-6/°C

Operating Temperature: -55°C bis +165°C

Power (Watts): 1W-1200W

Rated Power: 1~1200W

Produkt-Beschreibung

Detaillierte Spezifikationen & Funktionen

Hochleistungs-HF-Flanzwiderstand 1200W mit keramischer Zusammensetzung und breitem Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +165°C 0

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Beschreibung des Produkts

100W 150W 200W 250W 400W 800W 1000W 500W Hochleistungsterminals 10ohm 50ohm Bild des RF-Widerstands

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100W 150W 200W 250W 400W 800W 1000W 500W Hochleistungsterminals 10ohm 50ohm

Alle RF Flansch Widerstand kann mit einem Terminal oder zwei Terminals tun

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Zeichnung eines Widerstands mit einem Endgerät von 100 Watt

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150W zwei Endgeräte RF-Widerstands-Zeichnung

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250W 10ohm 50ohm zwei Endgeräte

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400 W10 ohm 50 ohm zwei Endgeräte

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500W 10ohm 50ohm ein Endgerät RF Widerstand Zeichnung

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600w 10ohm 50ohm ein Endgerät RF Widerstand Zeichnung

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800W 10ohm 50ohm zwei Endgeräte

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1000W 10ohm 50ohm Ein Endgerät RF Widerstand Zeichnung

Spezifikation

100W 150W 200W 250W 400W 800W 1000W 500W Hochleistungsterminals 10ohm 50ohm RF-Widerstand Parameter

Elektrische Eigenschaften
Nennwiderstandsbereich	1 ~ 500Ω
Nennwiderstandsbereich	± 5%
Frequenzbereich	0 ~ 2 GHz
Standwellenverhältnis	1.2 bis 1.3
Isolierwiderstand	≥ 1GΩ
Widerstandsspannung	500 V/1 mm (Substratdicke)
Umweltmerkmale
Nennleistung	1 ~ 1200 W (70°C)
Temperaturbereich	-55°C bis +165°C
TCR	± 300 × 10-6/°C
Temperaturschlag (-55°C/+125°C, 3 Mal)	ΔR≤±5%R
Feuchtigkeitsdicht (GJB306A-96-Methode 106)	ΔR≤±5%R
Schwingungen (10-500HZ, 0,75mm, 6h)	ΔR≤±3%R, keine mechanischen Beschädigungen
Prüfung bei niedriger Temperatur (-55°C, 24 Stunden)	ΔR≤±5%R
Dauer der Belastung (96)	ΔR≤±5%
Kollision	ΔR≤±3%R
Körperliche Eigenschaften
Endfestigkeit ((10N,5S)	Nicht loslassen und abfallen
Schweißbarkeit ((240°C,3s)	Zinnschichtfläche von 95%